国家知识产权局信息显示，ASMIP私人控股有限公司申请一项名为“室装置、半导体处理系统及材料层沉积方法”的专利，公开号CN121237679A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，一种室装置包括室主体、衬底支撑件和上加热器元件阵列。室主体具有注入端和纵向相对的排出端，衬底支撑件布置在室主体内并支撑在其中以围绕旋转轴线旋转，并且上加热器元件阵列支撑在室主体上方并包括横向内第一上线性灯具和横向内第二上线性灯具。横向内第一上线性灯具与旋转轴线分开第一横向间隔距离，横向内第二上线性灯具与旋转轴线分开第二横向间隔距离，并且第一横向间隔距离和第二横向间隔距离中的一个大于第一横向间隔距离和第二横向间隔距离中的另一个。还描述了半导体处理系统和材料层沉积方法。
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